Dissertação: “Fabricação e caracterização de transistor BESOI MOSFET com dopagem lateral”. 04/12/2024. 14h.

Candidato (a): Daniel Augusto Ramos

Dia: 04/12/2024

Horário: 14h

Local: DEFESA VIRTUAL DO PROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM ENGENHARIA ELÉTRICA.

Comissão Julgadora:
Prof.(ª)Dr.(ª) João Antonio Martino – PSI (Presidente)
Prof.(ª)Dr.(ª) Victor Sonnenberg – FATEC/SP
Prof.(ª)Dr.(ª) Salvador Pinillos Gimenez – FEI