Título do Trabalho: “Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico – BESOI MOSFET”.
Candidato (a): Ricardo Cardoso Rangel
Dia: 11/08/2022
Horário: 14h
Local: DEFESA VIRTUAL DO PROGRAMA DE ENGENHARIA ELÉTRICA.
Comissão Julgadora:
Prof.(ª)Dr.(ª) João Antonio Martino – PSI (Presidente)
Prof.(ª)Dr.(ª) Roberto Koji Onmori – PSI
Prof.(ª)Dr.(ª) Salvador Pinillos Gimenez – FEI
Prof.(ª)Dr.(ª) Victor Sonnenberg – FATEC/SP
Prof.(ª)Dr.(ª) Henri Ivanov Boudinov – UFRGS